공정 큰그림 지도
Wafer → Lithography → Etch → Deposition → Interconnect → Test → Packaging 흐름을 단계별로 탐색합니다.
공정 흐름
선택한 단계
Wafer 준비
- • 실리콘 잉곳을 슬라이스·연마해 공정용 웨이퍼를 만든다.
- • 평탄도·결함 밀도는 이후 수율과 직결된다.
- • 세정과 표면 처리가 후속 공정 안정성을 좌우한다.
- • 저항률·도핑 분포가 소자 특성의 출발점이 된다.
- • 표면 거칠기와 오염은 미세 공정에서 치명적이다.
웨이퍼 준비는 “공정을 시작할 수 있는 실리콘 바닥을 만드는 단계”입니다. 단순히 실리콘을 자르는 작업이 아니라, 표면 품질과 균일성을 확보해 후속 공정이 반복될 수 있는 조건을 만드는 과정입니다.
실리콘 잉곳을 얇게 슬라이스한 뒤 연마(CMP 포함)를 거쳐 평탄도를 맞춥니다. 평탄도가 부족하면 노광 초점, 증착 막 두께, 식각 균일도가 흔들리면서 전체 공정 수율이 떨어집니다.
웨이퍼 표면에는 미세 파티클과 유기 오염이 쉽게 붙습니다. 그래서 초기 세정과 표면 처리(친수/소수화 등)를 통해 오염을 제거하고, 포토레지스트나 박막이 안정적으로 붙을 수 있는 상태를 만듭니다.
또한 웨이퍼의 저항률과 도핑 분포는 소자 특성의 기본값을 결정합니다. 이후 공정이 아무리 정밀해도 웨이퍼 기본 품질이 흔들리면 결과가 불안정해집니다.
핵심 포인트
- • 평탄도/두께 균일성은 노광 초점과 막 두께에 직접 영향.
- • 결함 밀도는 초기 수율을 좌우하는 핵심 지표.
- • 표면 세정과 전처리로 오염을 최소화해야 한다.
- • 저항률·도핑 분포는 전기적 특성의 기본값이 된다.
문제/결함
- • 파티클/유기 오염 잔존
- • 스크래치·워프(휘어짐)
- • 두께·저항률 불균일
- • 표면 산화막/거칠기 문제
측정 포인트
- • 표면 결함 검사(광학/전자)
- • 두께·평탄도 측정
- • 저항률 매핑
- • 파티클 카운트
- • 표면 거칠기/산화막 상태
단계 연결
- • 표면 상태가 리소그래피 접착·초점 안정성에 영향.
- • 오염/결함이 증착·식각 결함으로 확대됨.
- • 저항률/도핑 분포가 소자 특성으로 이어짐.
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